功能描述：MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：19.2nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：793pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：310mW（Ta）, 455mW（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 4.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：1

PMV50UPE

PMV50UPE,215

PMV50UPE.215

PMV50XPR

PMV56XN

PMV56XN,215

PMV56XN.215

PMV56XN/DG

PMV56XN/WM5

PMV56XNT/R